TSM280NB06LCR RLG
Numéro de produit du fabricant:

TSM280NB06LCR RLG

Product Overview

Fabricant:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TSM280NB06LCR RLG-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN
Description détaillée:
N-Channel 60 V 7A (Ta), 28A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)

Inventaire:

12000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12899950
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SOUMETTRE

TSM280NB06LCR RLG Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Ta), 28A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
969 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 56W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PDFN (5.2x5.75)
Emballage / Caisse
8-PowerLDFN
Numéro de produit de base
TSM280

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
-2068-TSM280NB06LCRRLGTR-DG
TSM280NB06LCRRLGDKR
TSM280NB06LCRRLGCT
-2068-TSM280NB06LCRRLGTR
-2068-TSM280NB06LCRRLGCT
-2068-TSM280NB06LCRRLGDKR
TSM280NB06LCRRLGTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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